Name: STP24N60DM2
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM26846273
Price: 9.54 USD
Availability: InStock

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STP24N60DM2 ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STP24N60DM2
百芯编号#:
CM26846273
价格(CNY):
￥

9.54
百芯库存:
83 个
库存地点:
可供应量:
73 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TO-220 N-CH 600V 18A
文档:
数据手册
3D模型

STP24N60DM2 购买 STP24N60DM2 库存和价格更新于 2024-08-11 03:50:22

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器件型号: STP24N60DM2

百芯编号: CM26846273

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-220-3

价格
￥

9.54

总计: 156 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/08/16 (预期 )

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STP24N60DM2 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.175 Ω

极性

N-CH

耗散功率

150 W

阈值电压

4 V

输入电容

1055 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

8.7 ns

输入电容(Ciss)

1055pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STP24N60DM2 数据规格书

STP24N60DM2 其它数据手册Datasheet

22 Pages, 1178 KB

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2019/04/22

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STP24N60DM2 其它数据手册Datasheet

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STP24N60DM2 产品封装文件

21 Pages, 1196 KB

2013/02/25

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STP24N60DM2 产品修订记录

30 Pages, 325 KB

2019/04/08

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STP24N60DM2 产品修订记录

9 Pages, 242 KB

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STP24N60DM2 产品修订记录

3 Pages, 114 KB

2019/04/08

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

10.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

STP24N60DM2 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

STP24N60DM2 数据手册 >

出口分类

类型

描述

香港进出口证

NLR

STP24N60DM2 数据手册 >

产品概述

Create an effective common drain amplifier using this STP24N60DM2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 150000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with fdmesh ii plus technology.

STP24N60DM2 数据手册 >

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