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MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
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ROHM Semiconductor
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RTQ045N03TR 库存 & 价格
RTQ045N03TR
ROHM Semiconductor
TSMT N-CH 30V 4.5A
¥
2.00
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
RTQ045N03TR
ROHM Semiconductor
制造商:
ROHM Semiconductor
制造商型号#:
RTQ045N03TR
百芯编号#:
CM54037775
价格(CNY):
¥
2.00
百芯库存:
9,958
个
库存地点:
可供应量:
7,895
个在库
此为供应商库存,需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TSMT N-CH 30V 4.5A
文档:
数据手册
3D模型
RTQ045N03TR 购买
RTQ045N03TR 库存和价格更新于
2024-08-11 03:50:22
刷新
器件型号:
RTQ045N03TR
百芯编号:
CM54037775
制造商:
ROHM Semiconductor
封装:
TSOT-23-6
价格
$ USD
¥ CNY
€ EUR
₽ RUB
£ GBP
C$ CAD
₣ CHF
$ HKD
RS INR
¥ JPY
₩ KRW
$ TWD
¥
2.00
总计:
17,853
个
MOQ:
1
库存地点:
香港
发货日期:
2024/08/16
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近日,我们发现不法分子冒充百芯智造进行诈骗或试图低价销售假冒和故障元器件。
百芯智造在2021年建立了一个
元器件检测实验室
,旨在提供有质量保证的组件。
我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
请注意,唯一电子邮件后缀是
aipcba.com
RTQ045N03TR 规格
显示相似产品 (99+)
类型
描述
选择
制造商
ROHM Semiconductor
类别
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
3D模型
3D模型
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOT-23-6
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
4.50 A
漏源极电阻
420 mΩ
极性
N-Channel
耗散功率
1.25 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
31 ns
输入电容(Ciss)
540pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)
显示相似产品
RTQ045N03TR 数据规格书
RTQ045N03TR 数据手册Datasheet
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RTQ045N03TR 数据手册Datasheet
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RTQ045N03TR 其它数据手册Datasheet
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RTQ045N03TR 其它数据手册Datasheet
1 Pages, 137 KB
2015/01/16
查看
RTQ045N03TR 其他参考文件
1 Pages, 145 KB
2011/06/15
查看
尺寸 & 包装
类型
描述
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
RTQ045N03TR 数据手册 >
符合标准
类型
描述
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
RTQ045N03TR 数据手册 >
产品概述
N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
RTQ045N03TR 数据手册 >
查看全部
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百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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- 由百芯智造仓库仔细检查和包装 - 真空包装 - 防静电包装 - 防震泡沫
- 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。 - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等 - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿 - 开盖检查 - X-Ray检查 - XRF检查 - 电气测试 - 外观检测
- 不合格和假冒检测 - 故障分析 - 电气测试 - 生命周期和可靠性测试 -百芯2021年成立元器件检测实验室
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