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L6392D 库存 & 价格

ST Microelectronics Driver; 290mA; 580V; 800mW; Channels:2; 800kHz; SO14; Usup:12.5÷20V
15.41
L6392D
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L6392D ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    L6392D
  • 百芯编号#:
    CM10090844
  • 价格(CNY):
    15.41
  • 百芯库存:
    1,905
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    1,166 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    FET,驱动器
  • 产品描述:
    Driver; 290mA; 580V; 800mW; Channels:2; 800kHz; SO14; Usup:12.5÷20V
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
L6392D 购买 L6392D 库存和价格更新于 2024-07-04 03:50:22
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    器件型号: L6392D
    百芯编号: CM10090844
    制造商: ST Microelectronics
    价格
    15.41
    总计: 3,071
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/07/09 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    FET,驱动器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    14 Pin
    封装
    SOIC-14
    频率
    0.8 MHz
    电源电压(DC)
    12.5V (min)
    上升/下降时间
    75ns, 35ns
    输出接口数
    2 Output
    针脚数
    14 Position
    耗散功率
    0.8 W
    上升时间
    120 ns
    下降时间
    70 ns
    下降时间(Max)
    70 ns
    上升时间(Max)
    120 ns
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    耗散功率(Max)
    800 mW
    电源电压
    12.5V ~ 20V
    电源电压(Max)
    20 V
    电源电压(Min)
    12.5 V
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    L6392D 产品描述及参数
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    L6392D 产品修订记录
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    8.75 mm
    宽度
    4 mm
    高度
    1.65 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Each
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The L6392D is a high voltage High and Low-side Driver manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It is a single chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT. The high-side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600V. The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3V for easy interfacing microcontroller/DSP. The IC embeds an operational amplifier suitable for advanced current sensing in applications such as field oriented motor control.
    • CMOS/TTL inputs with hysteresis
    • Integrated bootstrap diode
    • Operational amplifier for advanced current sensing
    • Adjustable dead-time
    • Interlocking function
    • Compact and simplified layout
    • Bill of material reduction
    • Flexible, easy and fast design
    • dV/dt immunity of ±50V/ns in full temperature range
    • Driver current capability - 290mA Source and 430mA sink
    • 75/35ns Rise/fall with 1nF load switching time

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