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L2293Q 库存 & 价格

ST Microelectronics MOSFET DRVR 1.2A 4Out H Brdg Non-Inv 32Pin VFQFPN EP Tube
13.01
L2293Q
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L2293Q ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    L2293Q
  • 百芯编号#:
    CM61225268
  • 价格(CNY):
    13.01
  • 百芯库存:
    246
  • 可供应量:
    186 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    FET,驱动器
  • 产品描述:
    MOSFET DRVR 1.2A 4Out H Brdg Non-Inv 32Pin VFQFPN EP Tube
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
L2293Q 购买 L2293Q 库存和价格更新于 2024-07-04 03:50:22
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    器件型号: L2293Q
    百芯编号: CM61225268
    制造商: ST Microelectronics
    价格
    13.01
    总计: 432
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/07/09 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    FET,驱动器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    32 Pin
    封装
    VFQFN-32
    输出接口数
    4 Output
    输出电流
    600 mA
    耗散功率
    4000 mW
    输出电流(Max)
    1.2 A
    下降时间(Max)
    250 ns
    上升时间(Max)
    250 ns
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -20 ℃
    耗散功率(Max)
    4000 mW
    电源电压
    2.8V ~ 36V
    电源电压(Max)
    36 V
    电源电压(Min)
    2.8 V
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    L2293Q 应用笔记
    8 Pages, 359 KB
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    5 mm
    宽度
    5 mm
    工作温度
    -20℃ ~ 125℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tray
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The device is a monolithic integrated high voltage, high current four channel driver designed to accept standard DTL or TTL logic levels and drive inductive loads (such as relays solenoides, DC and stepping motors) and switching power transistors.
    • To simplify use as two bridges each pair of channels is equipped with an enable input. A separate supply input is provided for the logic, allowing operation at a lower voltage and internal clamp diodes are included.
    • This device is suitable for use in switching applications at frequencies up to 5 kHz.
    • The L2293Q is assembled in a VFQFPN-32L 5x5 package which has exposed pad available for heatsinking.
    • **Key Features**
    • Internal clamp diodes
    • 600 mA output current capability per channel
    • Enable facility
    • 1.2 A peak output current (non repetitive) per channel
    • Logical \"0\" input voltage up to 1.5 V (high noise immunity)
    • Overtemperature protection

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      - 防静电包装
      - 防震泡沫
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
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      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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