Name: IXFN130N30
Brand: IXYS Semiconductor
SKU: CM25390303
Price: 364.93 USD
Availability: InStock

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IXFN130N30 IXYS Semiconductor

制造商:
IXYS Semiconductor
制造商型号#:
IXFN130N30
百芯编号#:
CM25390303
价格(CNY):
￥

364.93
百芯库存:
1,354 个
库存地点:
可供应量:
710 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
SOT-227B N-CH 300V 130A
文档:
数据手册
符合 RoHS 标准 3D模型

IXFN130N30 购买 IXFN130N30 库存和价格更新于 2024-07-04 03:50:22

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器件型号: IXFN130N30

百芯编号: CM25390303

制造商: IXYS Semiconductor

价格
￥

364.93

总计: 2,064 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/07/09 (预期 )

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IXFN130N30 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

IXYS Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

额定电压(DC)

300 V

额定电流

130 A

额定功率

700 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.022 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

700 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

130 A

上升时间

75 ns

输入电容(Ciss)

14500pF @25V(Vds)

下降时间

31 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN130N30 数据规格书

IXFN130N30 数据手册Datasheet

4 Pages, 163 KB

2012/03/30

查看

IXFN130N30 其它数据手册Datasheet

4 Pages, 156 KB

2003/02/18

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

材质

Silicon

重量

0.000036 kg

工作温度

-55℃ ~ 150℃

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

IXFN130N30 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

IXFN130N30 数据手册 >

产品概述

The IXFN130N30 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
International standard packages
MiniBLOC with aluminium nitride isolation
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped inductive switching (UIS) rating
Low package inductance
Easy to mount
Space saving

IXFN130N30 数据手册 >

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