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IR2112SPBF 库存 & 价格

Infineon MOSFET DRVR 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC W
38.42
IR2112SPBF
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IR2112SPBF Infineon
Infineon
  • 制造商:
    Infineon
  • 制造商型号#:
    IR2112SPBF
  • 百芯编号#:
    CM1022700
  • 价格(CNY):
    38.42
  • 百芯库存:
    278
  • 可供应量:
    192 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    FET,驱动器
  • 产品描述:
    MOSFET DRVR 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC W
  • 文档: 3D模型
IR2112SPBF 购买 IR2112SPBF 库存和价格更新于 2024-08-09 03:50:22
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    器件型号: IR2112SPBF
    百芯编号: CM1022700
    制造商: Infineon
    封装: SOIC-16
    价格
    38.42
    总计: 470
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/08/14 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Infineon
    类别
    FET,驱动器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    16 Pin
    封装
    SOIC-16
    电源电压(DC)
    10.0V (min)
    工作电压
    10V ~ 20V
    额定功率
    1.25 W
    上升/下降时间
    80ns, 40ns
    输出接口数
    2 Output
    输出电压
    600 V
    输出电流
    250 mA
    通道数
    2 Channel
    针脚数
    16 Position
    耗散功率
    1250 mW
    上升时间
    130ns (Max)
    下降时间
    65ns (Max)
    下降时间(Max)
    65 ns
    上升时间(Max)
    130 ns
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    耗散功率(Max)
    1250 mW
    电源电压
    10V ~ 20V
    电源电压(Max)
    20 V
    电源电压(Min)
    10 V
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    IR2112SPBF 产品修订记录
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    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    10.5 mm
    宽度
    7.6 mm
    高度
    2.35 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The IR2112SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
    • Floating channel designed for bootstrap operation
    • Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
    • Under-voltage lockout for both channels
    • CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
    • Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
    • Matched propagation delay for both channels
    • Outputs in phase with inputs

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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    订购详情及相关信息
    •  此处条款仅供参考,实际条款以销售报价为准。
      - 订购时请确认产品规格。
      - MOQ 是指购买每个零件所需的最小起订量。
      - 如果您有特殊的订购说明,请在订购页面注明。
      - 装运前会进行检验 (PSI)。
      - 您可以随时给我们发邮件查询订单状态。
      - 包裹发货后无法取消订单。
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      - 仅限现金转账。(不接受支票和账单转账。)
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      - 偏远地区请提前与物流公司确认。
      (在这些地区送货可能会收取额外费用(35-50 美元)。)
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      - 您的订单发货后将发送跟踪号。
    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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