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MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
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Infineon
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IPD90N10S4L06ATMA1 库存 & 价格
IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon
DPAK N-CH 100V 90A
¥
18.75
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon
制造商:
Infineon
制造商型号#:
IPD90N10S4L06ATMA1
百芯编号#:
CM83750833
价格(CNY):
¥
18.75
百芯库存:
1,830
个
库存地点:
可供应量:
1,071
个在库
此为供应商库存,需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
DPAK N-CH 100V 90A
文档:
数据手册
3D模型
IPD90N10S4L06ATMA1 购买
IPD90N10S4L06ATMA1 库存和价格更新于
2024-07-04 03:50:22
刷新
器件型号:
IPD90N10S4L06ATMA1
百芯编号:
CM83750833
制造商:
Infineon
价格
$ USD
¥ CNY
€ EUR
₽ RUB
£ GBP
C$ CAD
₣ CHF
$ HKD
RS INR
¥ JPY
₩ KRW
$ TWD
¥
18.75
总计:
2,901
个
MOQ:
1
库存地点:
香港
发货日期:
2024/07/09
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批量器件查询 >
百芯库存涵盖200,000个元器件
欺诈预防提醒
近日,我们发现不法分子冒充百芯智造进行诈骗或试图低价销售假冒和故障元器件。
百芯智造在2021年建立了一个
元器件检测实验室
,旨在提供有质量保证的组件。
我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
请注意,唯一电子邮件后缀是
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IPD90N10S4L06ATMA1 规格
显示相似产品 (99+)
类型
描述
选择
制造商
Infineon
类别
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
3D模型
3D模型
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0058 Ω
极性
N-CH
耗散功率
136 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
90A
上升时间
6 ns
输入电容(Ciss)
6250pF @25V(Vds)
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
136W (Tc)
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IPD90N10S4L06ATMA1 数据规格书
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IPD90N10S4L06ATMA1 其它数据手册Datasheet
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查看
尺寸 & 包装
类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
IPD90N10S4L06ATMA1 数据手册 >
符合标准
类型
描述
RoHS标准
Compliant with Exemption
IPD90N10S4L06ATMA1 数据手册 >
产品概述
Summary of Features:
N-channel - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Benefits:
highest current capability 180A
low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
robust packages with superior quality and reliability
optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD90N10S4L06ATMA1 数据手册 >
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- 由百芯智造仓库仔细检查和包装 - 真空包装 - 防静电包装 - 防震泡沫
- 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。 - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等 - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿 - 开盖检查 - X-Ray检查 - XRF检查 - 电气测试 - 外观检测
- 不合格和假冒检测 - 故障分析 - 电气测试 - 生命周期和可靠性测试 -百芯2021年成立元器件检测实验室
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