Name: IGW50N60H3
Brand: Infineon
SKU: CM11926245
Price: 13.3 USD
Availability: InStock

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IGW50N60H3 Infineon

制造商:
Infineon
制造商型号#:
IGW50N60H3
百芯编号#:
CM11926245
价格(CNY):
￥

13.30
百芯库存:
225 个
库存地点:
可供应量:
140 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
产品描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
文档:
数据手册
3D模型

IGW50N60H3 购买 IGW50N60H3 库存和价格更新于 2024-08-11 03:50:22

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器件型号: IGW50N60H3

百芯编号: CM11926245

制造商: Infineon

封装: TO-247-3

价格
￥

13.30

总计: 365 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/08/16 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

Infineon

类别

IGBT,晶体管,绝缘栅双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

333 W

针脚数

3 Position

耗散功率

333 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

333 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

333 W

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IGW50N60H3 数据规格书

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

IGW50N60H3 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

IGW50N60H3 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

IGW50N60H3 数据手册 >

产品概述

Summary of Features:
Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Benefits:
Excellent cost/performance
Low switching and conduction losses
Very good EMI behavior
A small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
Smaller die sizes -> smaller packages
Best-in-class IGBT efficiency and EMI behavior

IGW50N60H3 数据手册 >

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