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HIP4086ABZ 库存 & 价格

Intersil Intersil HIP4086ABZ, Hex MOSFET Power Driver 1.5A Three Phase, 7 → 15V, 24Pin SOIC W
39.40
HIP4086ABZ
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HIP4086ABZ Intersil
Intersil
  • 制造商:
    Intersil
  • 制造商型号#:
    HIP4086ABZ
  • 百芯编号#:
    CM24531045
  • 价格(CNY):
    39.40
  • 百芯库存:
    104
  • 可供应量:
    103 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    FET,驱动器
  • 产品描述:
    Intersil HIP4086ABZ, Hex MOSFET Power Driver 1.5A Three Phase, 7 → 15V, 24Pin SOIC W
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
HIP4086ABZ 购买 HIP4086ABZ 库存和价格更新于 2024-07-05 03:50:22
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    器件型号: HIP4086ABZ
    百芯编号: CM24531045
    制造商: Intersil
    价格
    39.40
    总计: 207
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/07/10 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Intersil
    类别
    FET,驱动器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    24 Pin
    封装
    SOIC-24
    电源电压(DC)
    7.00V (min)
    上升/下降时间
    20ns, 10ns
    输出接口数
    6 Output
    输出电压
    101 V
    输出电流
    500 mA
    针脚数
    24 Position
    上升时间
    20.0 ns
    下降时间(Max)
    20 ns
    上升时间(Max)
    40 ns
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    电源电压
    7V ~ 15V
    电源电压(Max)
    15 V
    电源电压(Min)
    7 V
    显示相似产品
    HIP4086ABZ 数据规格书
    HIP4086ABZ 数据手册Datasheet
    16 Pages, 530 KB
    2010/10/16
    查看
    HIP4086ABZ 其它数据手册Datasheet
    16 Pages, 532 KB
    2010/10/16
    查看
    HIP4086ABZ 产品修订记录
    1 Pages, 188 KB
    2015/02/18
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    15.6 mm
    宽度
    7.6 mm
    高度
    2.35 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The HIP4086ABZ is a 3-phase N-channel full-bridge MOSFET Driver. This driver have flexible input protocol for driving every possible switch combination. It has a wide range of programmable dead times (0.5 to 4.5µs) which makes them very suitable for the low frequencies (up to 100kHz) typically used for motor drives. This is useful in applications that require very quiet EMI performance (the charge pumps operate at 10MHz). The advantage of this is built-in charge pumps allow indefinitely long on times for the high-side drivers. To insure that the high-side driver boot capacitors are fully charged prior to turning on, a programmable bootstrap refresh pulse is activated when VDD is first applied. When active, the refresh pulse turns on all three of the low-side bridge FETs while holding off the three high-side bridge FETs to charge the high-side boot capacitors. After the refresh pulse clears, normal operation begins.
    • Independently drives 6 N-channel FET in 3-phase bridge configurations
    • 95VDC Bootstrap supply maximum voltage with bias supply from 7 to 15V
    • 1.25A Peak turn-off current
    • Bootstrap and optional charge pump maintain high-side driver bias voltage
    • Programmable bootstrap refresh time
    • Drives 1000pF load with typical rise time of 20ns and fall time of 10ns
    • Programmable under-voltage set point
    • Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and result in failures not covered by warranty.

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    SN:H2.9287LO39559V11Q0QC0S0
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