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FQP70N10 库存 & 价格

Fairchild Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
11.04
FQP70N10
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FQP70N10 Fairchild
Fairchild
  • 制造商:
    Fairchild
  • 制造商型号#:
    FQP70N10
  • 百芯编号#:
    CM25871837
  • 价格(CNY):
    11.04
  • 百芯库存:
    3,594
  • 可供应量:
    2,467 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
  • 文档: 3D模型
FQP70N10 购买 FQP70N10 库存和价格更新于 2024-08-09 03:50:22
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    器件型号: FQP70N10
    百芯编号: CM25871837
    制造商: Fairchild
    封装: TO-220-3
    价格
    11.04
    总计: 6,061
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/08/14 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Fairchild
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-220-3
    额定电压(DC)
    100 V
    额定电流
    57.0 A
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    23 mΩ
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    160 W
    阈值电压
    4 V
    漏源极电压(Vds)
    100 V
    漏源击穿电压
    100 V
    栅源击穿电压
    ±25.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    57.0 A
    上升时间
    470 ns
    输入电容(Ciss)
    3300pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    160 W
    下降时间
    160 ns
    工作温度(Max)
    175 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    160 W
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    FQP70N10 数据规格书
    FQP70N10 数据手册Datasheet
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    2012/03/28
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    FQP70N10 数据手册Datasheet
    11 Pages, 551 KB
    2017/11/11
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    FQP70N10 数据手册Datasheet
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    2016/10/24
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    2016/02/14
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    2013/09/17
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    FQP70N10 其它数据手册Datasheet
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    2000/10/21
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    FQP70N10 其它数据手册Datasheet
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    2000/05/16
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    FQP70N10 其它数据手册Datasheet
    5 Pages, 527 KB
    2016/02/15
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    FQP70N10 其它数据手册Datasheet
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    2014/08/07
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    FQP70N10 产品设计图
    1 Pages, 97 KB
    2013/10/28
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    FQP70N10 产品修订记录
    3 Pages, 495 KB
    2016/02/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    10.1 mm
    宽度
    4.7 mm
    高度
    9.4 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The FQP70N10 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
    • 100% Avalanche tested
    • 85nC Typical low gate charge
    • 150pF Typical low Crss

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      - 真空包装
      - 防静电包装
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      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
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      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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