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FDMA1032CZ 库存 & 价格

Fairchild Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6Pin MLP EP T/R
3.23
FDMA1032CZ
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FDMA1032CZ Fairchild
Fairchild
  • 制造商:
    Fairchild
  • 制造商型号#:
    FDMA1032CZ
  • 百芯编号#:
    CM66661336
  • 价格(CNY):
    3.23
  • 百芯库存:
    52
  • 可供应量:
    56 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6Pin MLP EP T/R
  • 文档: 3D模型
FDMA1032CZ 购买 FDMA1032CZ 库存和价格更新于 2024-08-09 03:50:22
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    器件型号: FDMA1032CZ
    百芯编号: CM66661336
    制造商: Fairchild
    封装: MicroFET-6
    价格
    3.23
    总计: 108
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/08/14 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Fairchild
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    6 Pin
    封装
    MicroFET-6
    额定电压(DC)
    20.0 V
    额定电流
    3.70 A
    针脚数
    6 Position
    漏源极电阻
    0.037 Ω
    极性
    N-Channel, P-Channel
    耗散功率
    1.4 W
    阈值电压
    1 V
    输入电容
    340 pF
    漏源极电压(Vds)
    20 V
    漏源击穿电压
    20.0 V
    栅源击穿电压
    ±12.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    3.70 A
    输入电容(Ciss)
    340pF @10V(Vds)
    额定功率(Max)
    700 mW
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
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    FDMA1032CZ 数据规格书
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    2013/11/19
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    FDMA1032CZ 产品修订记录
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    2013/11/19
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    FDMA1032CZ 其他参考文件
    1 Pages, 153 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    2 mm
    宽度
    2 mm
    高度
    0.75 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The FDMA1032CZ is a dual N/P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent N and P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
    • Low profile
    • Halogen-free
    • ±12V Gate to source voltage
    • -3.1A Continuous drain current
    • 6A Pulsed drain current

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
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