SGP02N60XKSA1 数据手册 Datasheet - Infineon

更新时间： 2024/04/05 00:32:01 (UTC+8)

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SGP02N60XKSA1 文档

SGP02N60XKSA1 数据手册

Infineon

12 页, 354 KB

SGP02N60XKSA1 产品设计参考

Infineon

3 页, 369 KB

SGP02N60XKSA1 其它数据手册

Infineon

2 页, 33 KB

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(3+Tab) TO-220

Siemens Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220

Infineon

Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

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