SCT10N120

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SCT10N120 数据手册 Datasheet - ST Microelectronics

制造商：
ST Microelectronics
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
TO-247-3
描述：
Silicon carbide Power MOSFET 1200V, 12A, 520mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
文档：

SCT10N120 产品设计参考 (60 页) Hot

SCT10N120 应用笔记 (17 页)

更新时间： 2024/02/11 09:01:20 (UTC+8)

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