MRFE6VP5150NR1

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MRFE6VP5150NR1 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
TO-270
描述：
RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 150W, Typ Gain in dB is 26.3 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736
文档：

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MRFE6VP5150NR1 应用笔记 (25 页)

更新时间： 2023/11/28 06:04:25 (UTC+8)

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