MRF1513N 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
封装：
PLD-3
描述：
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520MHz, 3W, 12.5V
文档：

MRF1513N 数据手册 (7 页) Hot

MRF1513N 应用笔记 (16 页)

更新时间： 2024/03/30 04:46:34 (UTC+8)

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MRF1513NT1
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* Specified Performance @ 520MHz, 12.5 Volts Output Power: 3W Power Gain: 15dB Efficiency: 65% * Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5VDC, 520MHz, 2dB Overdrive * Excellent Thermal Stability * Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters * N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant. * In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12mm, 7Inch Reel.

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