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M29W160EB70ZA6 数据手册 Datasheet - ST Microelectronics

制造商：
ST Microelectronics
分类：
存储,芯片,内存,存储器
封装：
TFBGA-48
描述：
70ns; V(in/out): -0.6 to +0.6V; 16Mbit (2Mb x 8 or 1Mb x 16, boot block) 3V supply flash memory
文档：

M29W160EB70ZA6 数据手册 (40 页) Hot

封装外形尺寸在 26页 27页

型号规则信息在 28页

更新时间： 2024/06/28 12:46:48 (UTC+8)

M29W160EB70ZA6 数据手册PDF (40 页)

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M29W160EB70ZA6 数据规格书 1

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M29W160EB70ZA6 数据规格书 2

3

M29W160EB70ZA6 数据规格书 3

4

M29W160EB70ZA6 数据规格书 4

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M29W160EB70ZA6 数据规格书 5

设计电路图

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M29W160EB70ZA6 数据规格书 6

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M29W160EB70ZA6 文档

M29W160EB70ZA6 数据手册

ST Microelectronics

40 页, 599 KB

M29W160EB70 数据手册PDF

M29W160EB70N6E
数据手册

Micron

Flash Memory, Boot Block, 16Mbit, 2M x 8Bit / 1M x 16Bit, Parallel, TSOP, 48Pins

M29W160EB70N6F
数据手册

Micron

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48Pin TSOP T/R

M29W160EB70ZA6E
数据手册

Micron

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray

M29W160EB70N3E
数据手册

Micron

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TSOP Tray

M29W160EB70ZA6
数据手册

ST Microelectronics

70ns; V(in/out): -0.6 to +0.6V; 16Mbit (2Mb x 8 or 1Mb x 16, boot block) 3V supply flash memory

M29W160EB70N6E
数据手册

ST Microelectronics

M29W160EB70N6E, Parallel NOR Flash Memory 16Mbit, 70ns, 2.7 3.6V, 48Pin, TSOP

M29W160EB70ZS6E
数据手册

Micron

IC FLASH 16Mbit 70NS 64FBGA

M29W160EB70N6
数据手册

ST Microelectronics

70ns; V(in/out): -0.6 to +0.6V; 16Mbit (2Mb x 8 or 1Mb x 16, boot block) 3V supply flash memory

M29W160EB70ZA6F
数据手册

Micron

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA T/R

M29W160EB70N6E
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Numonyx

16Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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