IRG4PH30K 数据手册 Datasheet - IRF

制造商：
IRF
描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.1V, @Vge=15V, Ic=10A)
文档：

IRG4PH30K 数据手册 (8 页) Hot

更新时间： 2023/11/26 21:14:23 (UTC+8)

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IRG4PH30K 文档

IRG4PH30K 数据手册

IRF

8 页, 274 KB

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.1V, @Vge=15V, Ic=10A)

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

International Rectifier

INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH30KPBF IGBT Single Transistor, 20A, 3.1V, 100W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins

International Rectifier

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

International Rectifier

IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

International Rectifier

IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin (3+Tab) TO-247AC

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.1V, @Vge=15V, Ic=10A)

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