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IRFU320 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
描述：
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
文档：

IRFU320 数据手册 (4 页) Hot

封装外形尺寸在 1页

型号规则信息在 3页

更新时间： 2024/06/29 08:42:18 (UTC+8)

IRFU320 数据手册PDF (4 页)

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IRFU320 数据规格书 1

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IRFU320 数据规格书 2

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IRFU320 数据规格书 3

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IRFU320 数据规格书 4

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IRFU320 文档

IRFU320 数据手册

Samsung

4 页, 75 KB

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