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IRFR120NTRPBF 数据手册 Datasheet - International Rectifier

制造商：
International Rectifier
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
TO-252-3
描述：
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.21Ω; ID 9.4A; D-Pak (TO-252AA); PD 48W
文档：

IRFR120NTRPBF 数据手册 (11 页) Hot

封装外形尺寸在 8页 9页

IRFR120NTRPBF 应用笔记 (10 页)

更新时间： 2024/04/28 20:38:21 (UTC+8)

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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

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Infineon

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3

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Samsung

Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

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