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百芯智造的价格
IRF640 数据手册 Datasheet - Samsung
制造商:
Samsung
封装:
SFM
描述:
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
文档:
IRF640 数据手册 (12 页)
Hot
封装外形尺寸
在
8页
9页
10页
更新时间: 2024/04/01 19:45:41 (UTC+8)
IRF640 数据手册PDF (12 页)
1
参数规格
2
电气特性
3
4
5
6
点击页面查看数据手册详情
点击重新加载修复错误页面>
IRF640 文档
IRF640 数据手册
Samsung
12 页, 244 KB
IRF640 其它数据手册
Samsung
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