Datasheet
数据手册 > 英飞凌 > IPB60R080P7ATMA1 数据手册PDF

IPB60R080P7ATMA1 数据手册 Datasheet - Infineon

更新时间: 2024/03/27 21:20:57 (UTC+8)

IPB60R080P7ATMA1 文档

IPB60R080P7ATMA1 数据手册
Infineon
14 页, 1159 KB
IPB60R080P7ATMA1 产品设计参考
Infineon
270 页, 11877 KB
IPB60R080P7ATMA1 其它数据手册
Infineon
37 页, 2966 KB
IPB60R080P7ATMA1 应用笔记
Infineon
37 页, 2068 KB

IPB60R080P7 数据手册PDF

IPB60R080P7
数据手册
Infineon
The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
IPB60R080P7ATMA1
数据手册
Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 37A T/R
Datasheet 搜索
搜索
百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册,每天更新超过5,000个PDF文件。
在线联系我们
黄经理 - 百芯智造销售经理在线,5 分钟前
您的邮箱 *
消息 *
发送