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DS1230Y-200-IND 数据手册PDF
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DS1230Y-200-IND 数据手册 Datasheet - Dallas Semiconductor
制造商：
Dallas Semiconductor
封装：
DIP
描述：
256K Nonvolatile SRAM
文档：
DS1230Y-200-IND 数据手册 (12 页)
引脚定义
在
1页
Hot
型号规则信息
在
9页
更新时间： 2023/12/01 00:39:05 (UTC+8)
DS1230Y-200-IND 数据手册PDF (12 页)
1
引脚定义
2
3
参数规格
4
5
电气特性
6
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点击重新加载修复错误页面>
DS1230Y-200-IND 文档
DS1230Y-200-IND 数据手册
Dallas Semiconductor
12 页, 210 KB
DS1230Y200 数据手册PDF
DS1230Y-200+
数据手册
Maxim Integrated
Maxim DS1230Y-200+ SRAM Memory, 256Kbit, 4.5 → 5.5V, 200ns 28Pin EDIP
DS1230Y-200
数据手册
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP
DS1230Y-200
数据手册
Dallas Semiconductor
256K Nonvolatile SRAM
DS1230Y-200+
数据手册
Dallas Semiconductor
MEMORY; 256K NONVOLATILE SRAM; 200NS; 5V (MAX.); 85mA (MAX.); 200NS; 200NS
DS1230Y-200IND+
数据手册
Maxim Integrated
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28
DS1230Y-200IND
数据手册
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP
DS1230Y-200-IND
数据手册
Maxim Integrated
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DS1230Y-200-IND
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256K Nonvolatile SRAM
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