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CSD86330Q3D 数据手册PDF
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百芯智造的价格
CSD86330Q3D 数据手册 Datasheet - TI
制造商:
TI
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装:
LDFN-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20A, 25V, 4.6Ω, 4.5V, 1.4V
文档:
CSD86330Q3D 数据手册 (20 页)
Hot
封装外形尺寸
在
15页
18页
19页
焊盘
在
16页
型号规则信息
在
1页
更新时间: 2024/05/29 00:53:16 (UTC+8)
CSD86330Q3D 数据手册PDF (20 页)
1
应用领域
2
参数规格
3
电气特性
4
电气特性
5
6
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CSD86330Q3D 文档
CSD86330Q3D 数据手册
TI
20 页, 1445 KB
CSD86330Q3D 其它数据手册
TI
6 页, 391 KB
CSD86330Q3D 产品修订记录
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8 页, 425 KB
CSD86330Q3 数据手册PDF
CSD86330Q3
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TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20A, 25V, 4.6Ω, 4.5V, 1.4V
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