BSZ100N06LS3 G

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BSZ100N06LS3 G 数据手册 Datasheet - Infineon

制造商：
Infineon
分类：
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装：
PG-TSDSON-8
描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8Pin TSDSON
文档：

BSZ100N06LS3 G 数据手册 (27 页) Hot

封装外形尺寸在 25页

型号规则信息在 27页

BSZ100N06LS3 G 产品设计参考 (270 页)

BSZ100N06LS3 G 应用笔记 (37 页)

更新时间： 2024/05/31 08:42:50 (UTC+8)

BSZ100N06LS3 G 数据手册PDF (27 页)

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BSZ100N06LS3 G 数据规格书 1

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BSZ100N06LS3 G 数据规格书 2

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BSZ100N06LS3 G 数据规格书 3

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BSZ100N06LS3 G 数据规格书 4

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BSZ100N06LS3 G 数据规格书 5

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BSZ100N06LS3 G 数据规格书 6

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BSZ100N06LS3 G 数据手册

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27 页, 429 KB

BSZ100N06LS3 G 产品设计参考

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270 页, 11877 KB

BSZ100N06LS3 G 其它数据手册

Infineon

30 页, 664 KB

BSZ100N06LS3 G 应用笔记

Infineon

37 页, 2068 KB

BSZ100N06LS3 G 产品修订记录

Infineon

7 页, 73 KB

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TSDSON N-CH 60V 11A

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Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8Pin TSDSON

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