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IPD30N03S4L14ATMA1 产品设计参考 第 1/138 页
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百芯的价格
IPD30N03S4L14ATMA1 产品设计参考 - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-252-3
描述:
DPAK N-CH 30V 30A
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封装外形尺寸
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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应用领域
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电气特性
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型号列表
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更新时间: 2024-08-04 18:06:09 (UTC+8)
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型号规则信息
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应用领域
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电气特性
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IPD30N03S4L14ATMA1 数据手册 PDF
IPD30N03S4L14ATMA1 数据手册
Infineon
9 页, 185 KB
IPD30N03S4L14ATMA1 产品设计参考
Infineon
138 页, 12344 KB
IPD30N03S4L14ATMA1 其它数据手册
Infineon
28 页, 4162 KB
IPD30N03S4L14ATMA1 应用笔记
Infineon
56 页, 7111 KB
IPD30N03S4L14ATMA1 产品修订记录
Infineon
2 页, 111 KB
IPD30N03S4L14ATMA1 产品目录
Infineon
8 页, 162 KB
IPD30N03S4L14 数据手册 PDF
IPD30N03S4L-14 数据手册
Infineon
MOSFET Transistor, N Channel, 30A, 30V, 0.0112Ω, 10V, 1.5V
IPD30N03S4L14
ATMA1
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