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IPB200N25N3GATMA1 产品设计参考 第 1/270 页
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百芯的价格
IPB200N25N3GATMA1 产品设计参考 - Infineon
制造商:
Infineon
分类:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
封装
TO-263-3
描述:
D2PAK N-CH 250V 64A
页面指南:
引脚定义
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Hot
封装外形尺寸
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
在
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参数规格
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应用领域
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更新时间: 2024-08-10 13:32:34 (UTC+8)
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功能框图
IPB200N25N3GATMA1 产品设计参考
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封装外形尺寸
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型号规则信息
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功能框图
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设计电路图
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功能说明
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参数规格
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应用领域
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IPB200N25N3GATMA1 数据手册 PDF
IPB200N25N3GATMA1 数据手册
Infineon
11 页, 759 KB
IPB200N25N3GATMA1 产品设计参考
Infineon
270 页, 11877 KB
IPB200N25N3GATMA1 其它数据手册
Infineon
40 页, 479 KB
IPB200N25N3GATMA1 应用笔记
Infineon
37 页, 2068 KB
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Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin TO-263 T/R
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Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin(2+Tab) TO-263
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